据韩国《中央日报》报道，三星电子将在6月30日左右正式宣布其3nm芯片的量产。三星此前宣布计划在今年上半年量产基于全包围栅(GAA)技术的3 nm工艺产品，2023年推出第二代3 nm产品，2025年量产2 nm产品。

三星表示，与现有的FinFET工艺相比，GAA技术将减少45%的芯片面积，提高30%的性能，降低50%的功耗。

今年5月，拜登总统访韩时参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3nm芯片。